【jiuyou.com科技消息】5月26日,SK海力士公布了一項名為iHBM的高帶寬內存散熱技術,通過在HBM封裝內部加入一體化冷卻組件,降低發熱并提升高負載環境下的運行穩定性。該公司表示,新方案可將熱阻較現有產品降低30%以上。
SK海力士
根據介紹,iHBM將熱控制元件布置在發熱最集中的D22D PHY區域內部,并為熱量導出建立專用通道。該熱控制元件被稱為ICE,即集成冷卻元件,采用不導電但具備高導熱性的硅材料,在封裝內部形成額外的散熱路徑,從而改善HBM在高溫、高負載條件下的熱管理表現。

在制造方面,iHBM采用已在市場中得到驗證的Advanced MR-MUF基礎WLP工藝,可支持穩定的大規模量產。SK海力士稱,這項技術與客戶現有的系統級封裝環境具備較高設計兼容性,因此在導入時無需進行大幅度設計修改,可直接應用到現有體系中。
SK海力士計劃從HBM5等下一代產品開始導入iHBM技術,以滿足高性能計算、AI數據中心等超高集成度和超高帶寬場景下更嚴格的散熱需求,并提升系統整體穩定性和運營效率。
SK海力士負責封裝開發的副總裁李康旭表示,iHBM是結合內存設計能力與先進封裝技術開發的散熱優化方案,目標是為AI應用環境下的客戶需求提供更及時的支持。隨著AI計算負載持續增長,HBM的發熱控制正成為影響性能釋放和系統可靠性的關鍵環節,廠商也在持續推進相關封裝與散熱技術升級。
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